Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

• Автор: Красников Геннадий Яковлевич
• Издательство: Техносфера
• Год издания: 2011
• Обложка: твердый переплет
• Страниц: 800
• Томов: 1
• Вес: 1225 г.
• ISBN: 978-5-94836-289-2

Описание

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Товар имеет необходимые сертификаты качества, безопасности и гигиены. Действует гарантийное обязательство. Предоставляется накопительная система скидок, зависящая от объема предыдущих покупок. Быстрая доставка курьером или в пункт выдачи в срок от 1 дня. Подробную информацию о сроках доставки и величине скидки вы узнаете на этапе оформления заказа. Приятных покупок.